近几年，三菱电机以提高生产效率、获取高品质产品以及符合环境发展必须为目标，在自动化领域大大展开研发生产，以精雕细琢的产品给定中国工业自动化转型升级的发展市场需求。6月26日，PCIM 亚洲 2018展览在上海世博展览馆隆重举行。作为全球500强劲企业，同时也是现代功率半导体器件的开拓者，三菱电机携同19款功率模块集体亮相。其中，7款备受瞩目的新品在发布会上一一揭露，吸睛无数。

三菱电机半导体首席技术官Dr. GourabMajumdar、大中国区三菱电机半导体总经理楠·真一、大中国区三菱电机半导体技术总监宋高升、大中国区三菱电机半导体市场总监钱宇峰、三菱电机捷敏功率半导体（合肥）有限公司技术服务中心总监商明、大中国区三菱电机半导体公关宣传主管闵丽豪全数参加此次新品发布会。自从在1996年发售DIPIPMTM后，累计到目前，三菱电机总计出货量已多达5亿颗，一个月生产能力超过720万片，接下来，三菱电机还将更进一步扩展生产能力。为了更进一步稳固三菱电机功率半导体在变频家电市场的领先地位，三菱电机将相结合坐落于合肥的功率半导体工厂和牵头实验室，为中国客户获取更佳、更慢的反对；而在铁道机车、电动汽车和工业新能源应用领域，三菱电机将持续性地联合国内著名大学和专业设计公司，研发本地化的基于新型功率半导体的整体解决方案。三菱电机功率器件在变频家电、工业、新能源、轨道机车、电动汽车、五大应用领域不断创新，新品迭出。

在变频家电领域，面向变频冰箱和风机驱动的SLIMDIP-S以及面向变频空调和洗衣机的SLIMDIP-L智能功率模块、表面张贴装型IPM有助推展变频家电构建小型化。在工业应用于方面，三菱电机第七代IGBT和第七代IPM模块，首次使用SLCPCB技术，使得模块的应用于寿命大幅度缩短。在新能源发电尤其是风力发电领域，今年发售基于LV100PCB的新型IGBT模块，不利于提高风电变流器的功率密度和性能价格比。

在轨道机车应用领域，X系列HVIGBT安全性工作区域度大、电流密度减少、外用湿度鲁棒性强化，有助进一步提高机车变流器现场运营的可靠性。而在电动汽车领域，J1系列Pin-fin模块具备PCB小、内部杂散电感较低的特性。在新品中，首次展览的表面张贴装型IPM特别是在亮眼，该新品限于于家用变频空调风扇、变频冰箱、变频洗碗机等电机驱动系统。

三菱电机计划于9月1日开始发售此产品。据报，这款产品将包含三相直流电源桥的RC-IGBT（反一行通IGBT）、低电压掌控用IC、低电压掌控用IC，以及自举二极管和自举电阻等器件构建在一个PCB中。

该产品使用外型尺寸为15.2mmtimes;27.4mm×3.3mm的表面PCB型，可以通过转往焊装置加装到印刷电路板上去。表面张贴装型IPM具备三大特性：一，通过表面贴装，使系统加装显得更容易；二，该产品通过内置掌控IC以及最佳的插槽布局，在构建系统的小型化并使基板布线修改方面具备积极意义；三，而通过内置维护功能，可以协助提升系统的设计维度，这是第三大特性。宋高升回应，2018年，三菱电机将在以上五大领域，增强新产品的推展和应用于力度。

在变频家电领域，三菱电机将在分体式变频空调和变频洗衣机中不断扩大和增强SLIMDIP-L的应用于，在空调风扇和变频冰箱中逐步不断扩大SLIMDIP-S的应用于，在更加小功率的变频家电应用于中逐步推广用于表面PCB型IPM。在中高压变频器、光伏逆变器、电动大巴、储能逆变器、SVG、风力发电等应用于中，三菱电机将增强第7代IGBT模块的市场扩展；而在电动乘用轿车领域，三菱电机将为客户获取电动汽车专用模块和整体解决方案；在轨道机车领域，将近期的X系列HVIGBT的推展到高铁、动车、地铁等应用领域。六十年以来，三菱电机之所以需要仍然维持行业领先地位在于持续性和创新性的研究与研发。

在功率半导体近期技术发展方面，IGBT芯片技术仍然在变革。SiC作为下一代功率半导体的核心技术方向，与传统Si-IGBT模块比起， SiC功率模块最主要优势是开关损耗大幅度增大。对于特定逆变器应用于，这种优势可以增大逆变器尺寸，提升逆变器效率及减少电源频率。目前，基于SiC功率器件直流电源设备的应用领域正在不断扩大。

但受限于成本因素，目前SiC功率器件市场渗透率很低，随着技术变革，碳化硅成本将较慢上升，未来将是功率半导体市场主流产品。三菱电机从2013年开始发售第一代碳化硅功率模块，事实上，早在20多年前，三菱电机就开始了针对SiC技术的研发；2015年开始，SiC功率器件开始转入众多全新应用领域，同年，第一款基于全SiC的功率模块，并由三菱电机研发的机车机车系统在日本新干线加装用于。

其SiC功率模块产品线涵括额定电流15A~1200A及额定电压600V~3300V，目前均可获取样品。由于碳化硅需求量急速快速增长，2017年，三菱电机投资修建6英寸晶圆生产线，因应新技术来缩少芯片尺寸，目前该产线的建设于是以按计划前进中。电力电子行业对功率器件的拒绝更好地反映在提高效率与增大尺寸功率密度方面，因此新型SiC MOSFET功率模块将取得更加多的应用于。

为了符合功率器件市场对噪声较低、效率高、尺寸小和轻巧的拒绝，三菱电机仍然致力于研究和研发高技术产品。正在集中力量研发新一代沟槽栅SiC MOSFET芯片技术，该技术将更进一步提高短路耐量和导通电阻的关系，并计划在2020年构建新型SiC MOSFET模块的商业化。

本文来源：澳门新葡官网进入网站8883-www.anhuijufeng.com